应用专区——半导体

这些领域中最为人熟知的就是集成电路芯片（例如Intel处理器，手机内存，闪存等等），所以我们经常以集成电路芯片产业指代半导体产业（另外主要还有分立器件以及光电器件两个大类）。全球先进制程半导体的需求持续增加，半导体制程技术演进，也使得组件尺寸越做越精密，但是组件也开始出现可靠度（翘曲、脱层、裂痕）与制程上的问题，对于半导体的可靠性测试、故障分析及寿命推算的要求也越来越严苛，所以就需要进行气候环境模拟试验（凝露、呼吸、温湿度结合、温度冲击、高低温交变循环等）相关组件与组件的寿命时间拉长，但是又需要缩短试验的时间，因此必须要进行加速寿命与强迫吸湿试验，将相关半导体可靠度试验会参考与引用的测试规范整理于此专区

技术文章规范

JEDEC半导体可靠度测试与规范

说明：JEDEC半导体业界的一个标准化组织，制定固态电子方面的工业标准（半导体、记忆体），成立超过50年，是一个全球性的组织，他所制定的标准是很多产业都能够接受何采纳的，内容包含了专业术语的定义、产品的规格、测试方法、可靠度试验要求等，涵盖内容非常广。

JEDEC规范查询下载网址：Home | JEDEC

JEP122G-2011半导体元件的失效机制和模型

说明：加速寿命试验用于提早发现半导体潜在的故障原因，并估算可能的失效率透过相关活化能与加速因子公式，用于加速寿命测试下进行估算与故障率统计。帮助企业提高产品的合格率，降低生产成本，提高企业竞争力

JEP150.01=2013与组装固态表面安装组件相关的应力测试驱动失效机理

说明：GBA、LCC贴合在PCB上，采用一组较常使用的加速可靠度测试，用来评估生产工艺与产品的散热，找出潜在的故障机制，或是可能造成错误失败的任何原因。

JESD22-A101D.01-2021稳态温湿度偏置寿命测试

说明：本标准规定了在施加偏压的条件下进行温度-湿度寿命测试的定义方法和条件，该测试用来评估潮湿环境中非气密性包装的固态设备可靠性，如：密封IC器件

采用高温或高湿条件以加速水分通过外部的保护材料（密封剂或密封），或沿着外部保护涂层与导体与其他穿过部件之间的界面渗透。

JESD22-A102E-2015封装IC无偏压PCT试验

说明：用来评价非气密封装器件在水汽凝结或饱和水汽环境下抵御水汽的完整性，样品在高压下处于凝结的、高湿度环境中，以使水汽进入封装体内，暴露出封装中的弱点，如分层和金属化层的腐蚀。该试验用来评价新的封装结构或封装体中材料、设计的更新。应该注意，在该试验中会出现一些与实际应用情况不符的内部或外部失效机制。由于吸收的水汽会降低大多数聚合物材料的玻璃化转变温度，当温度高于玻璃化转变温度时，可能会出现非真实的失效模式

JESD22-A104F-2020温度循环

说明：温度循环TCT测试是让IC零件经受极高温和极低温之间，来回温度转换的可靠度测试，进行该测试时将IC零件重复暴露于这些条件下，经过指定的循环次数，过程被要求其指定升降温的温变速率（℃/min），另外需确认温度是否有效渗透到测试品内部。

JESD22-A105D-2020功率和温度循环

说明：本测试适用于受温度影响的半导体元器件，过程中需要在指定高低温差条件下，开启或关闭测试电源，温度循环还有电源测试，是确认元器件的承受能力，目的是模拟实际会遇到的最差状况。

JESD22-A106B.01-2016温度冲击

说明：进行此温度冲击测试，是为了确保半导体元器件，对于突然暴露在极端高低温条件下的抵抗力及影响，此试验其温变率过快并非模拟真正实际使用情况，其目的是施加较严苛的应力于半导体元器件上，加速其脆弱点的破坏，找出可能的潜在性损害。

JESD22-A110E-2015有偏压的HAST高度加速寿命试验

说明：依据JESD22-A110规范，高低温湿热试验箱都是可以进行元器件高温高湿的试验，而且试验过程中需要施加偏压，目的是加速元器件腐蚀，高温高湿试验箱可以有效缩短试验时间

推荐设备：

冷热冲击试验箱https://www.labcompanion.cn/labcompanion_Product_2064183367.html?_v=1704472660

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